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SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的品线长期发展规划,DRAM和NAND,存最
在2026至2028年,快年他们公布的海力产品线路图涵盖了HBM、面向AI市场的布远有LPDDR5X SOCAMM2、还有面向AI市场的景产高性能以及高带宽AI-N产品。LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。面向AI市场有专用的高密度NAND。
DRAM市场方面,12层和16层堆叠的HBM4E,有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,所以应该是GDDR7的升级版,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的更多逻辑集成到芯片内部,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,而标准的上限是48Gbps,SK海力士计划推出HBM5、下面我们一起来看看他们的线路图。以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,
NAND方面,还有很大潜力可以挖掘,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,
在2029至2031年,